1.IGBT芯片及模块

  产品具有高电流密度、低开关损耗、高短路功能、低导通压降、软关断特性、裕量大等特点，可满足智能电网、轨道交通、新能源汽车、新能源发电、工业控制等多个领域应用需求。

  技术参数：

  2.SiC功率器件

  产品覆盖SiC SBD和SiC MOSFET，采用第三代精细平面栅/第四代沟槽栅技术、体二极管续流，比导通电阻最低可到1.4mΩ‌.cm2，可满足新能源汽车主驱、OBC、DC/DC、充电桩、新能源发电、测试电源轨道交通等复杂、高可靠性应用工况需求。

  技术参数：

  3.双极器件

  产品包括晶闸管、整流管、IGCT、双极模块等，可满足高压直流输电、机车牵引与传动、静态无功补偿、软启动等多个领域的应用需求。

  技术参数：