本报北京5月25日讯记者苏民报道：中国南车大功率IGBT产业化基地今天在湖南株洲市奠基，这标志着8英寸IGBT芯片生产线项目正式启动。
项目设计年产8英寸芯片12万片、IGBT模块100万只，中国南车成为掌握IGBT芯片设计―芯片制造―模块封装―系统应用完整产业链企业。
中国南车株洲电力机车研究所有限公司总工程师冯江华介绍，IGBT是一种新型功率半导体器件，中文全名绝缘栅双极型晶体管，是功率半导体器件第三次技术革命的代表性产品。作为电力电子技术的核心技术，广泛应用于轨道交通、航空航天、船舶驱动、智能电网、电力电子、新能源汽车等战略性产业领域，是节能技术和低碳经济的主要支撑。
据悉，建成后该基地预计年产值超过20亿元，其产业规模和技术实力达到国际领先水平。