近日，由国家电动汽车第三方智库——中国电动汽车百人会主办，以“提升核心技术、创新引领发展”为主题的2017电动汽车百人会论坛在北京举行。在这场盛会中，公司党委书记、董事长丁荣军在《核心技术与关键零部件暨新能源汽车小镇论坛》主题峰会上发表主旨演讲。公司在论坛期间展示了自主研发的、具有国际先进水平的汽车级功率半导体产品。
主旨演讲中，丁荣军表示，株洲所除了继续深入IGBT产业，也早已布局电动汽车下一代“宽禁带半导体SiC电力电子器件”（以下简称SiC器件），加快SiC器件产业化进程。
SiC器件在电动汽车上的产业化应用，这能使电动汽车的“心脏”再一次升级，意味着电动汽车的又一次革命。相比于目前电动汽车应用的IGBT，采用SiC器件的电驱动控制器,开关频率可高达20kHz，相当于一秒钟开关20万次；并且控制器体积和重量减少三分之一以上。SiC器件控制器工作温度可高达200℃结温，比现有IGBT能够提升10%以上。对于整车来说，既能提高动力性能又能提高续航里程。
以SiC器件为代表的宽禁带半导体在电动汽车上的应用，已然成为全球趋势，但目前真正掌握其核心技术的企业寥寥无几，SiC器件芯片、封装等关键技术长期被国外少数企业垄断。
公司凭借在轨道交通领域50余年的技术积累和产业创新，功率半导体器件技术水平、产品品质、产业规模已实现国内领先并进入世界先进行列。是国内唯一、全球少数具备IGBT及SiC器件完整产业的企业，拥有“设计—制造—封装”完整产业链，彻底打破了国外对该领域的垄断局面。
作为株洲所子公司——时代电动SiC器件应用在电动汽车上，拥有得天独厚的优势，其已经有了初步成果，将继续做进一步的项目应用。
当前，我国新能源汽车发展进入了快速成长期，新能源汽车的产销量屡创新高，我国已成为全球最大的电动汽车市场。推动行业发展，既需要好的政策支持和产业生态，也需要进一步实现技术突破和创新引领。作为中国最早参与电动汽车核心技术研发的企业，中车株洲所、时代电动将不断致力于推动电动汽车核心技术的发展，真正实现关键技术上的全球引领。