国内首条8英寸IGBT专业芯片线在株洲所投产后，又迎来一重大利好消息。近日，装有首批8英寸IGBT芯片的模块在昆明地铁车辆段完成段内调试，并稳定运行一万公里，各项参数指标均达国际先进水平。
这意味着，由南车时代电气自主研制生产的8英寸IGBT芯片已彻底打破国外高端IGBT技术垄断，实现从研发、制造到应用的完全国产化。
作为电力电子装置的“心脏”，IGBT在国家战略领域中不可或缺。但是，国内IGBT技术起步较晚，受制于人，发展艰难而缓慢。国内大功率IGBT市场因此一直被国外公司垄断。
实际上，早在二十世纪六十年代初,株洲所就依靠自己的力量，培养了我国最早的半导体器件研发队伍。改革开放后，株洲所从美国西屋公司引进一条3英寸大功率半导体生产线，从而走上了一条自主开发和吸收引进相结合的道路。通过消化和吸收，株洲所逐步追赶世界先进水平，并先后成功研制出5英寸系列普通晶闸管和整流管及世界上第一只6英寸晶闸管。
2008年，南车时代电气成功并购英国丹尼克斯半导体公司，以“资金”换“时间”，实现了在IGBT领域的第一次跨越。经过长达4年的技术消化、吸收与再创新，2012年5月，株洲所在株洲投资15亿元，建设国内第一条8英寸IGBT专业芯片线，并于2014年6月正式投产。
芯片下线后，南车时代电气科研团队持续推动自主IGBT芯片的应用考核。今年10月，自主IGBT模块成功通过功率考核试验，并于当月底装载至昆明地铁1号线的城轨车辆。
此次试运行的IGBT模块，由南车时代电气自主研发的8英寸IGBT芯片封装而成。此次成功试运行，拉开了8英寸IGBT芯片应用于轨道交通领域的序幕，对于南车时代电气在大功率半导体领域打破国际垄断、提升行业竞争力，具有重要意义。
(刘昳 万超群 刘伟)